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GeneSiC Semiconductor MBRTA60030RL
| Artikelnummer: | MBRTA60030RL |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3TOWER |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
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GeneSiC Semiconductor MBRTA60030RL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments MBRTA60030RL.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 580 mV @ 300 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 30 V Technologie Schottky Supplier Device-Gehäuse Three Tower Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie - Verpackung / Gehäuse Three Tower Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Bulk Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Chassis Mount Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 mA @ 30 V Strom - Richt (Io) (pro Diode) 300A MBRTA60030RL Einzelheiten PDF [English] MBRTA60030RL PDF - EN.pdf -
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